貼片雙向可控硅 T1235 TO-263 可控硅中文資料

• 來源：宇芯電子 更新時間：2020-05-22 10:53:43點(diǎn)擊：6次

• 
  

  貼片雙向可控硅 T1235 TO-263 可控硅中文資料

  
  

  
  

  貼片雙向可控硅 T1235的特點(diǎn)：

  • NPNPN 五層結(jié)構(gòu)的硅雙向器件

  • P 型對通擴(kuò)散隔離

  • 臺面玻璃鈍化工藝

  • 背面多層金屬電極

  • 工作結(jié)溫高，換向能力強(qiáng)

  • 高電壓變化率 dV/dt

  • 大電流變化率 dI/dt

  • 符合 RoHS 規(guī)范

  • 封裝形式：TO-263
    

  
  

  
  

  貼片雙向可控硅 T1235的引腳圖：

  

  
  

  
  

  貼片雙向可控硅 T1235的應(yīng)用：

          加熱控制器、馬達(dá)調(diào)速控制器、麻將機(jī)、攪拌機(jī)、直發(fā)器、面包機(jī)等家用電器
  

  
  

  
  

  貼片雙向可控硅 T1235的極限值：

  • 斷態(tài)重復(fù)峰值電壓 V_DRM/V_RRM：600/800V

  • 通態(tài)均方根電流 I_T(TMS)：12A

  • 通態(tài)不重復(fù)浪涌電流 I_TSM：120A

  • 通態(tài)電流臨界上升率 dI_T/dt：50A/μs

  • 門極峰值電流 I_GM：4A

  • 門極平均功率 P_G(AV)：1W

  • 存儲溫度 T_STG：-40~+150℃

  • 工作結(jié)溫 T_j：-40~+125℃
    

  
  

  
  

  貼片雙向可控硅 T1235的電特性：

  符號	參數(shù)	數(shù)值	單位
  IGT	門極觸發(fā)電流	≤35	mA
  VGT	門極觸發(fā)電壓	≤1.3	V
  VGD	門極不觸發(fā)電壓	≥0.2
  IH	維持電流	≤35	mA
  IL	擎住電流 I-III	≤50
  	擎住電流 II	≤60
  dVD/dt	斷態(tài)電壓臨界上升率	≥500	V/μs
  VTM	通態(tài)壓降	≤1.55	V
  IDRM/IRRM	斷態(tài)重復(fù)峰值電流 VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃	≤5	μA
  	斷態(tài)重復(fù)峰值電流 VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃	≤1	mA

  
  

  
  

  貼片雙向可控硅 T1235的參數(shù)特性曲線：

  

  
  

  
  

  貼片雙向可控硅 T1235的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

  ---

  聲明：本網(wǎng)站原創(chuàng)內(nèi)容，如需轉(zhuǎn)載，請注明出處；本網(wǎng)站轉(zhuǎn)載的內(nèi)容（文章、圖片、視頻）等資料版權(quán)歸原網(wǎng)站所有。如我們采用了您不宜公開的文章或圖片，未能及時和您確認(rèn)，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失，請電郵聯(lián)系我們，以便迅速采取適當(dāng)處理措施；郵箱：limeijun@yushin88.com