可控硅 BTA312 TO-220C 12A雙向可控硅

• 來源：宇芯電子 更新時(shí)間：2020-05-21 17:44:18點(diǎn)擊：6次

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  可控硅 BTA312 TO-220C 12A雙向可控硅

  
  

  
  

  雙向可控硅 BTA312的引腳圖：

  

  
  

  
  

  雙向可控硅 BTA312的特點(diǎn)：

  • NPNPN 五層結(jié)構(gòu)的硅雙向器件

  • P 型對(duì)通擴(kuò)散隔離

  • 臺(tái)面玻璃鈍化工藝

  • 背面多層金屬電極

  • 工作結(jié)溫高，換向能力強(qiáng)

  • 高電壓變化率 dV/dt

  • 大電流變化率 dI/dt

  • 符合 RoHS 規(guī)范

  • 封裝形式：TO-220C
    

  
  

  
  

  雙向可控硅 BTA312的極限值：

  • 斷態(tài)重復(fù)峰值電壓 V_DRM/V_RRM：600/800V

  • 通態(tài)均方根電流 I_T(RMS)：12A

  • 通態(tài)不重復(fù)浪涌電流 I_TSM：100A

  • 通態(tài)電流臨界上升率 dI_T/dt：50A/μs

  • 門極峰值電流 I_GM：2A

  • 門極峰值功率 P_GM：5W

  • 門極平均功率 P_G(AV)：0.5W

  • 存儲(chǔ)溫度 T_STG：-40~+150℃

  • 工作結(jié)溫 T_j：-40~+125℃
    

  
  

  
  

  雙向可控硅 BTA312的電特性：

  符號(hào)	參數(shù)	測試條件		數(shù)值			單位
  				D	E	C
  IGT	門極觸發(fā)電流	VD=12V, IT=0.1A, Tj=25℃	I-II-III	≤5	≤10	≤35	mA
  VGT	門極觸發(fā)電壓		I-II-III	≤1.3			V
  VGD	門極不觸發(fā)電壓	VD=VDRM,Tj=125℃		≥0.2
  IH	維持電流	VD=12V,Tj=25℃		≤10	≤15	≤35	mA
  IL	擎住電流	VD=12V, IG=0.1A	I-III	≤10	≤25	≤50
  			II	≤15	≤30	≤60
  dVD/dt	斷態(tài)電壓臨界上升率	VD=67%VDRM, 門極開路 Tj=125℃		≥20	≥50	≥500	A/μs
  VTM	通態(tài)壓降	ITM=15A,tp=380μs		≤1.55			V
  IDRM/IRRM	斷態(tài)重復(fù)峰值電流	VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃		≤5	≤5	≤5	μA
  		VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃		≤1	≤1	≤1	mA

  
  

  
  

  雙向可控硅 BTA312的型號(hào)、標(biāo)識(shí)說明：

  

  
  

  
  

  雙向可控硅 BTA312的參數(shù)特性曲線：

  

  
  

  
  

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