單向可控硅2P4M引腳圖 2A可控硅2P4M

• 來(lái)源：宇芯電子 更新時(shí)間：2020-05-19 15:27:01點(diǎn)擊：6次

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  單向可控硅2P4M引腳圖 2A可控硅2P4M

  
  

  
  

  2A可控硅 2P4M的引腳圖：

  

  
  

  
  

  2A可控硅 2P4M的應(yīng)用：

         摩托車(chē)點(diǎn)火器、汽油機(jī)點(diǎn)火器、LED 燈控制器、彩燈控制器、咖啡壺、直發(fā)器
  

  
  

  
  

  2A可控硅 2P4M的特點(diǎn)：

  • PNPN 四層結(jié)構(gòu)的硅單向器件

  • 門(mén)極靈敏觸發(fā)

  • P 型對(duì)通擴(kuò)散隔離

  • 臺(tái)面玻璃鈍化工藝

  • 背面多層金屬電極

  • 符合 RoHS 規(guī)范

  • 封裝形式：SOT-223-3L
    

  
  

  
  

  2A可控硅 2P4M的極限值：

  • 斷態(tài)重復(fù)峰值電壓 V_DRM/V_RRM：600/800V

  • 通態(tài)平均電流 I_T(AV)：2A

  • 通態(tài)均方根電流 I_T(RMS)：3A

  • 通態(tài)不重復(fù)浪涌電流 I_TSM：20A

  • 通態(tài)電流臨界上升率 dI_T/dt：50A/μs

  • 門(mén)極峰值電流 I_GM：0.2A

  • 門(mén)極峰值功率 P_GM：0.5W

  • 門(mén)極平均功率 P_G(AV)：0.1W

  • 存儲(chǔ)溫度 T_STG：-40~+150℃

  • 工作結(jié)溫 T_j：-40~+110℃
    

  
  

  
  

  2A可控硅 2P4M的電特性：

  符號(hào)	參數(shù)	最小值	典型值	最大值	單位
  IGT	門(mén)極觸發(fā)電流	10		200	μA
  VGT	門(mén)極觸發(fā)電壓			0.8	V
  VGD	門(mén)極不觸發(fā)電壓	0.2
  IH	維持電流		1	3	mA
  IL	擎住電流			4
  dVD/dt	斷態(tài)電壓臨界上升率	10			V/μs
  VTM	通態(tài)壓降			1.55	V
  IDRM/IRRM	斷態(tài)重復(fù)峰值電流 VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃			5	μA
  	斷態(tài)重復(fù)峰值電流 VD=VDRM/VRRM,Tj=110℃			100

  
  

  
  

  2A可控硅 2P4M的熱阻：

  符號(hào)	參數(shù)	數(shù)值	單位
  Rth(j-c)	結(jié)到管殼的熱阻(AC)	20	℃/W
  Rth(j-a)	結(jié)到環(huán)境的熱阻	60

  
  

  
  

  2A可控硅 2P4M的參數(shù)特性曲線(xiàn)：

  

  
  

  
  

  2A可控硅 2P4M的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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