1096 100V場效應(yīng)管 GM1096 SOT-23 N溝道MOS管

• 來源：宇芯電子 更新時間：2020-05-15 16:06:53點(diǎn)擊：6次

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  1096 100V場效應(yīng)管 GM1096 SOT-23 N溝道MOS管

  
  

  
  

  N溝道MOS管 GM1096的特點(diǎn)：

  • 低導(dǎo)通電阻和最大直流電流能力

  • 超高元胞密度設(shè)計(jì)

  • R_DS(ON)TYP96mΩVGS=10V

  • R_DS(ON)TYP105mΩVGS=4.5V

  • 封裝形式：SOT-23
    

  
  

  
  

  N溝道MOS管 GM1096的應(yīng)用：

  • 筆記本電源管理

  • 便攜式設(shè)備

  • 電池電源系統(tǒng)

  • DC/DC 變換

  • 負(fù)載開關(guān)應(yīng)用
    

  
  

  
  

  N溝道MOS管 GM1096的引腳圖：

  

  
  

  
  

  N溝道MOS管 GM1096的極限值：

  參數(shù)	符號	數(shù)值	單位
  漏極-源極電壓	BVDSS	100	V
  柵極-源極電壓	VGS	±20
  漏極電流-連續(xù) TC=25℃	ID	2.8	A
  漏極電流-脈沖	IDM	15
  總耗散功率 TC=25℃	PTOT	1.25	W
  熱阻	RθJA	100	℃/W
  結(jié)溫/儲存溫度	TJ,Tstg	-55~150	℃

  
  

  
  

  N溝道MOS管 GM1096的電特性：

  參數(shù)	符號	最小值	典型值	最大值	單位
  漏極-源極擊穿電壓	BVDSS	100			V
  柵極開啟電壓	VGS(th)	1.2	1.8	2.5
  零柵壓漏極電流	IDSS			1	uA
  柵極漏電流	IGSS			±100	nA
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 ID=2.8A,VGS=10V	RDS(ON)		96	130	mΩ
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 ID=1A,VGS=4.5V			105	180
  源極-漏極電流	ISD			1.25	A
  內(nèi)附二極管正向壓降	VSD			1.3	V
  輸入電容	CISS		690		pF
  輸出電容	COSS		120
  柵源電荷密度	Qgs		3.2		nC
  柵漏電荷密度	Qgd		4.7
  開啟延遲時間	td(on)		11		ns
  開啟上升時間	tr		8
  關(guān)斷延遲時間	td(off)		35
  開啟下降時間	tf		9

  
  

  
  

  N溝道MOS管 GM1096的典型特性曲線：

  

  
  

  
  

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