GM6385MOS管 P溝道場效應(yīng)管 6385中文規(guī)格書

• 來源：宇芯電子 更新時間：2020-05-15 11:29:48點擊：6次

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  GM6385MOS管 P溝道場效應(yīng)管 6385中文規(guī)格書

  
  

  
  

  P溝道場效應(yīng)管 GM6385的引腳圖：

  

  
  

  
  

  P溝道場效應(yīng)管 GM6385的極限值：

  參數(shù)	符號	數(shù)值	單位
  漏極-源極電極	BVDSS	-60	V
  柵極-源極電壓	VGS	±20
  漏極電流-連續(xù)	ID	-3.5	A
  漏極電流-脈沖	IDM	-10
  總耗散功率	PD	1400	mW
  結(jié)溫	TJ	150	℃
  儲存溫度	Tstg	-55~+150

  
  

  
  

  P溝道場效應(yīng)管 GM6385的電特性：
  如無特殊說明，T_A=25℃
  

  參數(shù)	符號	最小值	典型值	最大值	單位
  漏極-源極擊穿電壓	BVDSS	-55	-60		V
  柵極開啟電壓	VGS(th)	-1		-3
  內(nèi)附二極管正向壓降	VSD			-1.2
  零柵壓漏極電流	IDSS			-1	uA
  柵極漏電流	IGSS			±100	nA
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 ID=-3A,VGS=-10V	RDS(ON)		70	85	mΩ
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 ID=-2A,VGS=-4.5V			80	120
  輸入電容	CISS		900		pF
  輸出電容	COSS		100
  開啟延遲時間	td(on)		38		ns
  開啟上升時間	tr		18
  關(guān)斷延遲時間	td(off)		51
  開啟下降時間	tf		6

  
  

  
  

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