P溝道MOSFET EMF09P02V 貼片場效應(yīng)管

• 來源：宇芯電子 更新時間：2020-04-16 16:56:04點擊：6次

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  P溝道MOSFET EMF09P02V 貼片場效應(yīng)管

  
  

  
  

  一、EMF09P02V的腳位圖：

  

  
  

  
  

  二、EMF09P02V的極限值(除非另有說明，T_A=25℃)：

  參數(shù)	符號	數(shù)值	單位
  漏極-源極電壓	BVDSS	-20	V
  柵極-源極電壓	VGS	±8
  漏極電流-連續(xù) TA=25℃	ID	-20	A
  漏極電流-連續(xù) TA=70℃		-15
  漏極電流-脈沖	IDM	-80
  雪崩電流	IAS	-15
  雪崩能量	EAS	11.25	mJ
  功耗 TA=25℃	PD	2.5	W
  功耗 TA=70℃		1.25
  結(jié)溫和存儲溫度	Tj,Tstg	-55~+150	℃

  
  

  
  

  三、EMF09P02V的電特性：

  參數(shù)	符號	最小值	典型值	最大值	單位
  漏極-源極擊穿電壓	V(BR)DSS	-20			V
  柵極開啟電壓	VGS(th)	-0.4	-0.75	-1.2
  柵極漏電流	IGSS			±100	nA
  零柵壓漏極電流 VDS=-16V,VGS=0V	IDSS			-1	μA
  零柵壓漏極電流 VDS=-12V,VGS=0V,Tj=125℃				-10
  靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=-4.5V,ID=-15A	RDS(ON)		7.8	9.5	mΩ
  靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=-2.5V,ID=-8A			10.3	12.5
  靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=-1.8V,ID=-5A			14.5	18
  正向跨導	gfs		32		S
  輸入電容	Ciss		7660		pF
  輸出電容	Coss		596
  反向傳輸電容	Crss		510
  柵源電荷密度	Qgs		4.9		nC
  柵漏電荷密度	Qgd		13

  
  

  
  

  四、EMF09P02V的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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