雙N溝道MOS管 EMB21A03V 30V場效應管

• 來源：宇芯電子 更新時間：2020-04-15 17:54:07點擊：6次

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  雙N溝道MOS管 EMB21A03V 30V場效應管

  
  

  
  

  一、EMB21A03V的腳位圖：

  

  
  

  
  

  二、EMB21A03V的極限值(除非有特殊說明，T_A=25℃)：

  參數(shù)	符號	數(shù)值	單位
  漏極-源極電壓	BVDSS	30	V
  柵極-源極電壓	VGS	±20
  漏極電流-連續(xù) TA=25℃	ID	9	A
  漏極電流-連續(xù) TA=100℃		6.3
  漏極電流-脈沖	IDM	36
  雪崩電流	IAS	10
  雪崩能量	EAS	5	mJ
  重復雪崩能量	EAR	2.5
  功耗 TA=25℃	PD	2.27	W
  功耗 TA=100℃		0.9
  結溫和存儲溫度	Tj,Tstg	-55~+150	℃

  
  

  
  

  三、EMB21A03V的電特性：

  參數(shù)	符號	最小值	典型值	最大值	單位
  漏極-源極擊穿電壓	V(BR)DSS	30			V
  柵極開啟電壓	VGS(th)	1	1.5	3
  柵極漏電流	IGSS			±100	nA
  零柵壓漏極電流 VDS=24V,VGS=0V	IDSS			1	μA
  零柵壓漏極電流 VDS=20V,VGS=0V,Tj=125℃				25
  靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=10V,ID=9A	RDS(ON)		17	21	mΩ
  靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=5A			24	32
  正向跨導	gfs		16		S
  輸入電容	Ciss		520		pF
  輸出電容	Coss		88
  反向傳輸電容	Crss		62
  柵源電荷密度	Qgs		1.6		nC
  柵漏電荷密度	Qgd		2.8
  開啟延遲時間	td(on)		9		nS
  開啟上升時間	tr		12
  關斷延遲時間	td(off)		30
  開啟下降時間	tf		15

  
  

  
  

  四、EMB21A03V的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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