貼片MOSFET GM2020E的封裝腳位圖

• 來源：宇芯電子 更新時間：2020-04-09 17:34:24點擊：6次

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  貼片MOSFET GM2020E的封裝腳位圖

  
  

  
  

  一、GM2020E的腳位圖：

  

  
  

  
  

  二、GM2020E的極限值：

  參數(shù)	符號	數(shù)值	單位
  漏極-源極電壓	BVDSS	20	V
  柵極-源極電壓	VGS	±6
  漏極電流-連續(xù)	ID	0.9	A
  漏極電流-脈沖	IDM	1.4
  總耗散功率	PD	370	mW
  結(jié)溫	Tj	150	℃
  存儲溫度	Tstg	-55~150

  
  

  
  

  三、GM2020E的電特性：

  (如無特殊說明，溫度為25℃)

  參數(shù)	符號	最小值	典型值	最大值	單位
  漏極-源極擊穿電壓	BVDSS	20			V
  柵極開啟電壓	VGS(th)	0.45		0.85
  內(nèi)附二極管正向壓降	VSD			1.1
  零柵壓漏極電流	IDSS			100	nA
  柵極漏電流	IGSS			±5	uA
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 ID=0.55A,VGS=4.5V	RDS(ON)		220	310	mΩ
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 ID=0.45A,VGS=2.5V			260	360
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 ID=0.35A,VGS=1.8V			320	460
  輸入電容	CISS		50		pF
  輸出電容	COSS		13
  開啟時間	t(on)		22		ns
  關(guān)斷時間	t(off)		700

  
  

  
  

  四、GM2020E的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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