可控硅的主要參數(shù)與符號說明

• 來源：宇芯電子 更新時間：2020-04-01 10:30:10點擊：6次

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  可控硅的主要參數(shù)與符號說明

  
  

  
  

          可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管?？煽毓栌挚煞譃閱蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結構上相當于兩個單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向導通功能。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負脈沖)可使其正向(或反向)導通。這種裝置的優(yōu)點是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點開關使用。

   

  
  

  一、可控硅的主要參數(shù)

          ⒈ 額定通態(tài)電流（IT）即最大穩(wěn)定工作電流，俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。

          ⒉反向重復峰值電壓（VRRM）或斷態(tài)重復峰值電壓（VDRM），俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。

          ⒊ 控制極觸發(fā)電流（IGT），俗稱觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。

          4. 在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下，允許通過陰極和陽極的電流平均值。

   

  
  

  二、可控硅的符號說明

  以下是可控硅的電流電壓等參數(shù)：

  • IT(AV)--通態(tài)平均電流

  • IDRM--斷態(tài)重復峰值電流

  • ITSM--通態(tài)不重復浪涌電流

  • VTM--導通壓降

  • IGT--門極觸發(fā)電流

  • VGT--門極觸發(fā)電壓

  • IH--維持電流

  • dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率

  • di/dt--通態(tài)電流臨界上升率

  • Rthjc--結到管殼的熱阻

  • VISO--模塊絕緣電壓

  • Tj--結溫

  • VDRM--通態(tài)重復峰值電壓

  • IRRM--反向重復峰值電流

  • IF(AV)--正向平均電流
    

  
  

  
  

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