8205 20V貼片場效應(yīng)管 MOSFET

• 來源：宇芯電子 更新時間：2020-03-30 15:24:35點擊：6次

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  8205 20V貼片場效應(yīng)管 MOSFET

  
  

  
  

  一、8205的概述：

          8205是共漏極N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管。具有快速開關(guān)，超低導(dǎo)通電阻和高性價比的特點。該器件適用于電池保護(hù)或低壓開關(guān)的電路。

  
  

  
  

  二、8205的封裝引腳圖：

  1、8205A的封裝圖：

  

  
  

  
  

  2、8205的封裝圖：

  

  
  

  
  

  三、8205的特點：

  • R_DS(ON)≤28mΩ@VGS=4.5V

  • 超低門電荷(典型 23nC)

  • 低反向傳輸電容(CRSS =典型 150pF)

  • 快速切換功能

  • 提高 dv/dt 能力，高耐用性

  • 低導(dǎo)通電阻

  • 低驅(qū)動電流

  • 低柵極電壓 2.5V

  • V_DS=20V

  • I_D=6A@V_GS=4.5V
    

  
  

  
  

  四、8205的符號圖：

  

  
  

  
  

  五、8205的應(yīng)用：

  • 鋰電池充電保護(hù)

  • 電源管理

  • 便攜式設(shè)備

  • 負(fù)載開關(guān)
    

  
  

  
  

  六、8205的極限參數(shù)：

  參數(shù)	符號	參數(shù)	單位
  漏源電壓	VDSS	20	V
  柵源電壓	VGSS	±12
  漏極電流-連續(xù)	ID	6	A
  漏極電流-脈沖	IDM	20
  功耗 TSSOP8	PD	1	W
  功耗 SOT23-6		1.14
  熱阻，結(jié)到環(huán)境 TSSOP8	θJA	125	℃/W
  熱阻，結(jié)到環(huán)境 SOT23-6		110
  結(jié)溫	TJ	+150	℃
  存儲溫度	TSTG	-55~+150

  
  

  
  

  七、8205的電性參數(shù)，Tj=25℃，除非另有規(guī)定：

  參數(shù)	符號	最小值	典型值	最大值	單位
  漏源擊穿電壓	BVDSS	20			V
  漏源漏電流	IDSS			1	uA
  柵源漏電流	IGSS			±100	nA
  柵極門限電壓	VGS(TH)	0.5		1.5	V
  漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=6A	RDS(ON)			28	mΩ
  漏源導(dǎo)通電阻 VGS=2.5V,ID=5.2A				42
  輸入電容	CISS		1035		pF
  輸出電容	COSS		320
  反向傳輸電容	CRSS		150
  開啟延遲時間	tD(ON)		30		ns
  開啟上升時間	tR		70
  關(guān)閉延遲時間	tD(OFF)		40
  關(guān)閉上升時間	tF		65
  柵極總電荷	QG		23		nC
  柵源電荷	QGS		4.5
  柵漏電荷	QGD		7

  
  

  
  

  八、8205的封裝外形尺寸：

  1、TSSOP8：

  

  
  

  2、SOT23-6：

  

  
  

  
  

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