40A 單向可控硅 TYN840 TO-220B

• 來源：宇芯電子 更新時(shí)間：2020-03-26 16:49:10點(diǎn)擊：6次

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  40A 單向可控硅 TYN840 TO-220B

  
  

  
  

  一、TYN840的特點(diǎn)：

  • PNPN 四層結(jié)構(gòu)的硅單向器件

  • P 型對(duì)通擴(kuò)散隔離

  • 臺(tái)面玻璃鈍化工藝

  • 背面多層金屬電極

  • 符合 RoHS 規(guī)范

  • 封裝形式：TO-220B
    

  
  

  
  

  二、TYN840的腳位圖：

  

  
  

  
  

  三、TYN840的應(yīng)用：

          電加熱控制、電機(jī)調(diào)速、交流電開關(guān)、交直流逆變
  

  
  

  
  

  四、TYN840的極限值(TCASE=25℃)：

  符號(hào)	參數(shù)	數(shù)值	單位
  VDRM/VRRM	斷態(tài)重復(fù)峰值電壓	800	V
  IT(AV)	通態(tài)平均電流	25	A
  IT(RMS)	通態(tài)均方根電流	40
  ITSM	通態(tài)不重復(fù)浪涌電流	460
  I2t	I2t 值	1060	A2s
  dIT/dt	通態(tài)電流臨界上升率	100	A/μs
  IGM	門極峰值電流	4	A
  PG(AV)	門極平均功率	1	W
  TSTG	存儲(chǔ)溫度	-40~+150	℃
  Tj	工作溫度	-40~+125

  
  

  
  

  五、TYN840的電性能：

  符號(hào)	參數(shù)	數(shù)值	單位
  IGT	門極觸發(fā)電流	5~35	mA
  VGT	門極觸發(fā)電壓	1.3	V
  VGD	門極不觸發(fā)電壓	0.2
  IH	維持電流	75	mA
  IL	擎住電流	150
  dVD/dt	斷態(tài)電壓臨界上升率	600	V/μs
  VTM	通態(tài)壓降	1.6	V

  
  

  
  

  六、TYN840的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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