25A雙向可控硅 BTA24 三象限可控硅
一、BTA24的產(chǎn)品特征:
NPNPN五層結(jié)構(gòu)的硅雙向器件
P 型對(duì)通擴(kuò)散隔離
臺(tái)面玻璃鈍化工藝
背面多層金屬電極
工作結(jié)溫高,換向能力強(qiáng)
二、BTA24的極限值(TCASE=25℃):
斷態(tài)重復(fù)峰值電壓(VDRM/VRRM) ------------------------------------------ 600/800V
通態(tài)均方根電流(IT(RMS)) --------------------------------------------------- 25A
通態(tài)電流臨界上升率(dIT/dt) ------------------------------------------------ 50A/μs
門極峰值電流(IGM) ---------------------------------------------------------- 4A
門極平均功率(PG(AV)) ------------------------------------------------------- 1W
存儲(chǔ)溫度(TSTG) -------------------------------------------------------------- -40~+150℃
工作結(jié)溫(TJ) ----------------------------------------------------------------- -40~+125℃
三、BTA24的管腳排列:
四、BTA24的電特性:
符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 | |
CW | BW | |||
IGT | 門極觸發(fā)電流 | ≤35 | ≤50 | mA |
VGT | 門極觸發(fā)電壓 | ≤1.3 | V | |
VGD | 門極不觸發(fā)電壓 | ≥0.2 | ||
IH | 維持電流 | ≤50 | ≤75 | mA |
IL | 擎住電流 I-III | ≤60 | ≤80 | mA |
擎住電流 II | ≤80 | ≤90 | ||
dVD/dt | 斷態(tài)電壓臨界上升率 | ≥500 | ≥1000 | V/μs |
VTM | 通態(tài)壓降 | ≤1.55 | V |
五、BTA24的熱阻:
符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
Rth(j-c) | 結(jié)到管殼的熱阻(AC) | 1.7 | ℃/W |
Rth(j-a) | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 60 | ℃/W |
六、BTA24的標(biāo)識(shí)說明:
七、BTA24的封裝外形尺寸:
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