BTA10—10A雙向可控硅的耐壓多大？

• 來源：宇芯電子 更新時間：2020-03-13 14:33:02點(diǎn)擊：6次

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  BTA10—10A雙向可控硅的耐壓多大？

  
  

  
  

  一、BTA10的引腳排列：

  

  
  

  
  

  二、BTA10的極限值：

  • 斷態(tài)重復(fù)峰值電壓(V_DRM/V_RRM)  ------------------------------------------ 600/800V

  • 通態(tài)均方根電流(I_T(RMS))  --------------------------------------------------- 10A

  • 通態(tài)電流臨界上升率(dI_T/dt)  ------------------------------------------------- 50A/μs

  • 門極峰值電流(I_GM)  ----------------------------------------------------------- 4A

  • 門極平均功率(P_G(AV))  ------------------------------------------------------- 1W

  • 存儲溫度(T_STG)  --------------------------------------------------------------  -40~+150℃

  • 工作結(jié)溫(T_J)  ------------------------------------------------------------------  -40~+125℃
    

  
  

  
  

  三、BTA10的電特性：

  1、三象限：

  符號	參數(shù)	數(shù)值		電位
  		CW	BW
  IGT	門極觸發(fā)電流	35	50	mA
  VGT	門極觸發(fā)電壓	1.3		V
  VGD	門極不觸發(fā)電壓	0.2		V
  IH	維持電流	35	50	mA
  IL	擎住電流 I-III	50	70	mA
  	擎住電流 II	60	80	mA
  dV/dt	斷態(tài)電壓臨界上升率	500	1000	V/μs
  dI/dt	通態(tài)電流臨界上升率	5.5	9	A/ms
  VTM	通態(tài)壓降	1.55		V

  
  

  
  

  2、四象限：

  符號	參數(shù)	數(shù)值		電位
  		C	B
  IGT	門極觸發(fā)電流 I-II-III	25	50	mA
  	門極觸發(fā)電流 IV	50	100
  VGT	門極觸發(fā)電壓	1.3		V
  VGD	門極不觸發(fā)電壓	0.2		V
  IH	維持電流	25	50	mA
  IL	擎住電流 I-III-IV	40	50	mA
  	擎住電流 II	80	100
  dV/dt	斷態(tài)電壓臨界上升率	200	400	V/μs
  dI/dt	通態(tài)電流臨界上升率	5	10	A/ms
  VTM	通態(tài)壓降	1.55		V

  
  

  
  

  四、BTA10的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

  
  

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