MOS管基本認(rèn)識(shí)(快速入門)
本文來(lái)源:EDN電子技術(shù)設(shè)計(jì)
1、三個(gè)極的判定
G極(gate)—柵極,不用說(shuō)比較好認(rèn)
S極(source)—源極,不論是P溝道還是N溝道,兩根線相交的就是
D極(drain)—漏極,不論是P溝道還是N溝道,是單獨(dú)引線的那邊
2. N溝道與P溝道判別
箭頭指向G極的是N溝道
箭頭背向G極的是P溝道
3. 寄生二極管方向判定
不論N溝道還是P溝道MOS管,中間襯底箭頭方向和寄生二極管的箭頭方向總是一致的:
要么都由S指向D,要么都有D指向S
4. MOS開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)的功能
1>信號(hào)切換
2>電壓通斷
5. MOS管用作開(kāi)關(guān)時(shí)在電路中的連接方法
關(guān)鍵點(diǎn):
1>確定那一極連接輸入端,那一極連接輸出端
2>控制極電平為?V 時(shí)MOS管導(dǎo)通
3>控制極電平為?V 時(shí)MOS管截止
NMOS:D極接輸入,S極接輸出
PMOS:S極接輸入,D極接輸出
反證法加強(qiáng)理解
NMOS假如:S接輸入,D接輸出
由于寄生二極管直接導(dǎo)通,因此S極電壓可以無(wú)條件到D極,MOS管就失去了開(kāi)關(guān)的作用
PMOS假如:D接輸入,S接輸出
同樣失去了開(kāi)關(guān)的作用
6. MOS管的開(kāi)關(guān)條件
N溝道—導(dǎo)通時(shí) Ug> Us,Ugs> Ugs(th)時(shí)導(dǎo)通
P溝道—導(dǎo)通時(shí) Ug< Us,Ugs< Ugs(th)時(shí)導(dǎo)通
總之,導(dǎo)通條件:|Ugs|>|Ugs(th)|
7. 相關(guān)概念
BJT
Bipolar Junction Transistor 雙極性晶體管,BJT是電流控制器件;
FET
Field Effect Transistor 場(chǎng)效應(yīng)晶體管,F(xiàn)ET是電壓控制器件.
按結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)管分為:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)(簡(jiǎn)稱JFET)、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)(簡(jiǎn)稱MOSFET)
兩大類
按溝道材料:結(jié)型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種.
按導(dǎo)電方式:耗盡型與增強(qiáng)型,結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型,絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的,也有增強(qiáng)型的。
總的來(lái)說(shuō)場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管,而MOS場(chǎng)效應(yīng)
晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型;P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。
8. MOS管重要參數(shù)
①封裝
②類型(NMOS、PMOS)
③耐壓Vds(器件在斷開(kāi)狀態(tài)下漏極和源極所能承受的最大的電壓)
④飽和電流Id
⑤導(dǎo)通阻抗Rds
⑥柵極閾值電壓Vgs(th)
9. 從MOS管實(shí)物識(shí)別管腳
無(wú)論是NMOS還是PMOS
按上圖方向擺正,中間的一腳為D,左邊為G,右邊為S。
或者這么記:?jiǎn)为?dú)的一腳為D,逆時(shí)針轉(zhuǎn)DGS。
這里順便提一下三極管的管腳識(shí)別:同樣按照上圖方向擺正,中間一腳為C,左邊為B,右邊為E。
管腳編號(hào)
從G腳開(kāi)始,逆時(shí)針123
三極管的管腳編號(hào)同樣從B腳開(kāi)始,逆時(shí)針123
10. 用萬(wàn)用表辨別NNOS、PMOS
借助寄生二極管來(lái)辨別。將萬(wàn)用表檔位撥至二極管檔,紅表筆接S,黑表筆接D,有數(shù)值顯示,反過(guò)來(lái)接無(wú)數(shù)值,說(shuō)明是N溝道,若情況相反是P溝道。
11. 畫(huà)一個(gè)MOS管
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