mosfet的選型要點(diǎn)

• 來源：宇芯電子 更新時(shí)間：2020-01-11 10:48:27點(diǎn)擊：6次

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  mosfet的選型要點(diǎn)
  

  
  

          金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
  

   

          一、MOSFET的主要參數(shù)

          場效應(yīng)管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但一般使用時(shí)關(guān)注以下主要參數(shù)：

          1、IDSS—飽和漏源電流。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中，柵極電壓UGS=0時(shí)的漏源電流。

          2、UP—夾斷電壓。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓。

          3、UT—開啟電壓。是指增強(qiáng)型絕緣柵場效管中，使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓。

          4、gM—跨導(dǎo)。是表示柵源電壓UGS—對(duì)漏極電流ID的控制能力，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gM是衡量場效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù)。

          5、BUDS—漏源擊穿電壓。是指柵源電壓UGS一定時(shí)，場效應(yīng)管正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項(xiàng)極限參數(shù)，加在場效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BUDS。

          6、PDSM—最大耗散功率。也是一項(xiàng)極限參數(shù)，是指場效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的最大漏源耗散功率。使用時(shí)，場效應(yīng)管實(shí)際功耗應(yīng)小于PDSM并留有一定余量。

          7、IDSM—最大漏源電流。是一項(xiàng)極限參數(shù)，是指場效應(yīng)管正常工作時(shí)，漏源間所允許通過的最大電流。場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過IDSM 。

   

          二、MOSFET的選型要點(diǎn)

          MOS管的選型是很重要的一個(gè)環(huán)節(jié)，MOS管選擇不好有可能影響到整個(gè)電路的效率和成本，下面一起來學(xué)習(xí)下MOS管正確的選擇方法吧！

          1、決定選用N溝道還是P溝道的MOS管。

          2、確定電流

          3、確定電壓

          4、確定熱要求

          5、決定開關(guān)性能

          6、為封裝因素考量

   

          三、MOSFET的應(yīng)用優(yōu)勢

          1、場效應(yīng)晶體管是電壓控制元件，而雙極結(jié)型晶體管是電流控制元件。在只允許從取較少電流的情況下，應(yīng)選用場效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用雙極晶體管。

          2、有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比雙極晶體管好。

          3、場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而雙極結(jié)型晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。因此被稱之為雙極型器件。

          4、場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。

          MOSFET在1960年由貝爾實(shí)驗(yàn)室（Bell Lab.）的D. Kahng和 Martin Atalla首次實(shí)作成功，這種元件的操作原理和1947年蕭克萊（William Shockley）等人發(fā)明的雙載流子結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor,BJT）截然不同，且因?yàn)橹圃斐杀镜土c使用面積較小、高整合度的優(yōu)勢，在大型集成電路（Large-Scale Integrated Circuits,LSI）或是超大型集成電路（Very Large-Scale Integrated Circuits,VLSI）的領(lǐng)域里，重要性遠(yuǎn)超過BJT。

          由于MOSFET元件的性能逐漸提升，除了傳統(tǒng)上應(yīng)用于諸如微處理器、微控制器等數(shù)位信號(hào)處理的場合上，也有越來越多模擬信號(hào)處理的集成電路可以用MOSFET來實(shí)現(xiàn)，以下分別介紹這些應(yīng)用。

  
  

  
  

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