可控硅與晶閘管的區(qū)別是什么?
一、可控硅的概述與工作原理
可控硅是可控硅整流元件的簡稱(亦稱晶閘管),是一種具有三個PN結的四層結構的半導體器件,屬于半控的電流控制器件。
和其它半導體器件一樣,它具有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點。它的出現(xiàn),使半導體技術從弱電領域進入了強電領域,成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運輸、軍事科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。
工作原理
(1)導通
柵極懸空時,BG1和BG2截止,沒有電流流過負載電阻RL。
柵極輸入一個正脈沖電壓(注入觸發(fā)電流Ig)時,BG2導通,VCE(BG2)下降,VBE(BG1)升高。
正反饋過程:
Ig↑→Ic2↑→Ia↑→Ic1↑→Ig↑ 使BG1和BG2進入飽和導通狀態(tài)。
電路很快從截止狀態(tài)進入導通狀態(tài)。
由于正反饋的作用柵極Ig沒有觸發(fā)將保持導通狀態(tài)不變
(2)截止
陽極—陰極加上反向電壓
BG1和BG2截止。
加大負載電阻RL使電流減少BG1和BG2的基電流也將減少。
當減少到某一個值時由于電路的正反饋作用,電路翻轉為截止狀態(tài)。
這個電流為維持電流IH
二、晶閘管的概述和工作原理
晶閘管(Thyristor)是晶體閘流管的簡稱,又被稱做可控硅整流器,以前被簡稱為可控硅;1957年美國通用電氣公司開發(fā)出世界上第一款晶閘管產(chǎn)品,并于1958年將其商業(yè)化;晶閘管是PNPN四層半導體結構,它有三個極:陽極,陰極和控制極; 晶閘管具有硅整流器件的特性,能在高電壓、大電流條件下工作,且其工作過程可以控制、被廣泛應用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中。
工作原理
晶閘管在工作過程中,它的陽極(A)和陰極(K)與電源和負載連接,組成晶閘管的主電路,晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,組成晶閘管的控制電路。
晶閘管為半控型電力電子器件,它的工作條件如下:
1. 晶閘管承受反向陽極電壓時,不管門極承受何種電壓,晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài)。
2. 晶閘管承受正向陽極電壓時,僅在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導通。這時晶閘管處于正向導通狀態(tài),這就是晶閘管的閘流特性,即可控特性。
3. 晶閘管在導通情況下,只要有一定的正向陽極電壓,不論門極電壓如何,晶閘管保持導通,即晶閘管導通后,門極失去作用。門極只起觸發(fā)作用。
4. 晶閘管在導通情況下,當主回路電壓(或電流)減小到接近于零時,晶閘管關斷。
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