可控硅十條黃金規(guī)則匯總

• 來源：宇芯電子 更新時間：2019-12-25 15:30:25點擊：6次

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  可控硅十條黃金規(guī)則匯總

  
  

  規(guī)則1：為了導通閘流管(或雙向可控硅)，必須有門極電流 ≥I_GT，直至負載電流達到 ≥I_L。這條件必須滿足，并按可能遇到的最低溫度考慮。

  
  

  規(guī)則2：要斷開(切換)閘流管(或雙向可控硅)，負載電流必須 ＜I_H，并維持足夠長的時間，使能回復至截止狀態(tài)。在可能的最高運行溫度下必須滿足上述條件。

  
  

  規(guī)則3：設計雙向可控硅觸發(fā)電路時，只要有可能，就有避開 3⁺ 象限(WT2-，+)。

  
  

  規(guī)則4：為減少雜波吸收，門極連線長度降至最低。返回線直接連至 MT1(或陰極)。若用硬線，用螺旋雙向或屏蔽線。門極和 MT1 間加電阻 1kΩ 或更小。高頻旁路電容和極間串接電阻。另一解決辦法，選用 H 系列低靈敏度雙向可控硅。

  
  

  規(guī)則5：若 dV_D/dt 或 dV_COM/dt 可能引起問題，在 MT1 和MT2 間加入 RC 緩沖電路。
  

                若高 dI_COM/dt 可能引起問題，加入一幾 mH 的電感和負載串聯(lián)。

                另一種解決方法，采用 Hi-Com 雙向可控硅。

  
  

  規(guī)則6：假如雙向可控硅的 V_DRM 在嚴重的、異常的電源瞬間過程中有可能被超出，采用下列措施之一：

                負載上串聯(lián)電感量為幾 μH 的不飽和電感，以限制 dI_T/dt；

                用 MOV 跨接于電源，并在電源側增加濾波電路。

  
  

  規(guī)則7：選用好的門極觸發(fā)電路，避開 3⁺ 象限工況，可以最大限度提高雙向可控硅的dI_T/dt 承受能力。

  
  

  規(guī)則8：若雙向可控硅的 dI_T/dt 有可能被超出，負載上最好串聯(lián)一個幾 μH 的無鐵芯電感或負溫度系數(shù)的熱敏電阻。另一種解決辦法：對電阻性負載采用零電壓導通。

  
  

  規(guī)則9：器件固定到散熱器，避免讓雙向可控硅受到應力。固定，然后焊接引線。不要把柳釘芯軸放在器件接口片一側。

  
  

  規(guī)則10：為了長期可靠工作，應保證 R_{th j-a} 足夠低，維持 T_j 不高于 T_jmax，其值相應于可能的最高環(huán)境溫度。
  

  
  

  
  

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