N溝道MOSFET 絕緣柵場效應(yīng)管 GM7002
一、GM7002的最大額定值：
| 特性參數(shù) | 符號 | 數(shù)值 | 單位 |
| 漏極-源極電壓 | BVDSS | 60 | V |
| 柵極-源極電壓 | VGS | ±20 | V |
| 漏極電流-連續(xù) | IDR | 115 | mA |
| 漏極電流-脈沖 | IDRM | 800 | mA |
二、GM7002的熱特性：
| 特性參數(shù) | 符號 | 數(shù)值 | 單位 |
總耗散功率 (環(huán)境溫度為25℃) | PD | 225 | mW |
總耗散功率 (超過25℃遞減) | 1.8 | mW/℃ | |
| 熱阻 | RθJA | 417 | ℃/W |
| 結(jié)溫和存儲溫度 | Tj,Tstg | 150℃，-55~+150℃ | |
三、GM7002的電特性：
(如無特殊說明，溫度為25℃)
| 特性參數(shù) | 符號 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
漏極-源極擊穿電壓 (ID=250uA,VGS=0V) | BVDSS | 60 | V | ||
柵極開啟電壓 (ID=250uA,VGS=0V) | VGS(th) | 1.0 | 2.5 | ||
漏極-源極導(dǎo)通電壓 (ID=50mA,VGS=5V) | VDS(ON) | 0.375 | |||
漏極-源極導(dǎo)通電壓 (ID=500mA,VGS=10V) | 3.75 | ||||
內(nèi)附二極管正向壓降 (ISD=200mA,VGS=0V) | VSD | 1.5 | |||
零柵壓漏極電流 (VGS=0V,VDS=BVDSS) | IDSS | 1 | uA | ||
零柵壓漏極電流 (VGS=0V,VDS=0.8BVDSS,TA=125℃) | 500 | ||||
柵極漏電流 (VGS=±20V,VDS=0V) | IGSS | ±100 | nA | ||
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 (ID=50mA,VGS=5V) | RDS(ON) | 7.5 | Ω | ||
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 (ID=500mA,VGS=10V) | 7.5 | ||||
輸入電容 (VGS=0V,VDS=25V,f=1MHz) | CISS | 50 | pF | ||
共源輸出電容 (VGS=0V,VDS=25V,f=1MHz) | COSS | 25 | |||
開啟時間 (VDS=30V,ID=200mA.RGEN=25Ω) | t(on) | 20 | ns | ||
關(guān)斷時間 (VDS=30V,ID=200mA.RGEN=25Ω) | t(off) | 40 | |||
反向恢復(fù)時間 (ISD=800mA,VGS=0V) | trr | 400 |
四、GM7002的封裝外形尺寸：
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