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金屬-氧化物半導體場效應晶體管,簡稱金氧半場效晶體管,是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。MOS管的源極(source)和漏極(drain)是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個兩個區(qū)是一樣的,即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。
MOS管的工作原理
它是利用VGS來控制“感應電荷”的多少,以改變由這些“感應電荷”形成的導電溝道的狀況,然后達到控制漏極電流的目的。在制造管子時,通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子,故在交界面的另一側(cè)能感應出較多的負電荷,這些負電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通,形成了導電溝道,即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當柵極電壓改變時,溝道內(nèi)被感應的電荷量也改變,導電溝道的寬窄也隨之而變,因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。下面是MOS管的原理圖。
無論N型或者P型MOS管,其工作原理本質(zhì)是一樣的。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性,不會發(fā)生像三極管做開關時的因基極電流引起的電荷存儲效應,因此在開關應用中,MOS管的開關速度應該比三極管快。
MOS管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖所示;其導通時只有一種極性的載流子(多子)參與導電,是單極型晶體管。導電機理與小功率MOS管相同,但結(jié)構(gòu)上有較大區(qū)別,小功率MOS管是橫向?qū)щ娖骷?,功率MOSFET大都采用垂直導電結(jié)構(gòu),又稱為VMOSFET,大大提高了MOSFET器件的耐壓和耐電流能力。
其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,因此具有很高的輸入電阻,該管導通時在兩個高濃度n擴散區(qū)間形成n型導電溝道。n溝道增強型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓,且只有柵源電壓大于閾值電壓時才有導電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。n溝道耗盡型MOS管是指在不加柵壓(柵源電壓為零)時,就有導電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。
MOS管的輸入、輸出特性,對于共源極接法的電路,源極和襯底之間被二氧化硅絕緣層隔離,所以柵極電流為0。
圖(a)為共源極接法的電路,輸出特性曲線如右圖所示。
當VGS
MOS管作為開關元件,同樣是工作在截止或?qū)▋煞N狀態(tài)。由于MOS管是電壓控制元件,所以主要由柵源電壓uGS決定其工作狀態(tài)。導通的意思是作為開關,相當于開關閉合。NMOS的特性,Vgs大于一定的值就會導通,適合用于源極接地時的情況(低端驅(qū)動),只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。PMOS的特性,Vgs小于一定的值就會導通,適合用于源極接VCC時的情況(高端驅(qū)動)。但是,雖然PMOS可以很方便地用作高端驅(qū)動,但由于導通電阻大,價格貴,替換種類少等原因,在高端驅(qū)動中,通常還是使用NMOS。下面以NMOS管為例介紹其特性。
圖 (a)為由NMOS增強型管構(gòu)成的開關電路。
NMOS的特性,Vgs大于一定的值就會導通,適合用于源極接地時的情況(低端驅(qū)動),只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。
PMOS的特性,Vgs小于一定的值就會導通,適合用于源極接VCC時的情況(高端驅(qū)動)。但是,雖然PMOS可以很方便地用作高端驅(qū)動,但由于導通電阻大,價格貴,替換種類少等原因,在高端驅(qū)動中,通常還是使用NMOS。
MOS管的作用:
1、可應用于放大電路。由于MOS管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。
2、很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。
3、可以用作可變電阻。
4、可以方便地用作恒流源。
5、可以用作電子開關。
MOS管為壓控元件,你只要加到它的壓控元件所需電壓就能使它導通,它的導通就像三極管在飽和狀態(tài)一樣,導通結(jié)的壓降最小。這就是常說的精典是開關作用。去掉這個控制電壓經(jīng)就截止。
我們知道MOS管對于整個供電系統(tǒng)起著穩(wěn)壓的作用,但是MOS管不能單獨使用,它必須和電感線圈、電容等共同組成的濾波穩(wěn)壓電路,才能發(fā)揮充分它的優(yōu)勢。
主板上的PWM(Plus Width Modulator,脈沖寬度調(diào)制器)芯片產(chǎn)生一個寬度可調(diào)的脈沖波形,這樣可以使兩只MOS管輪流導通。當負載兩端的電壓(如CPU需要的電壓)要降低時,這時MOS管的開關作用開始生效,外部電源對電感進行充電并達到所需的額定電壓。當負載兩端的電壓升高時,通過MOS管的開關作用,外部電源供電斷開,電感釋放出剛才充入的能量,這時的電感就變成了“電源”,繼續(xù)對負載供電。隨著電感上存儲能量的不斷消耗,負載兩端的電壓又開始逐漸降低,外部電源通過MOS管的開關作用又要充電。這樣循環(huán)不斷地進行充電和放電的過程,從而形成一種穩(wěn)定的電壓,永遠使負載兩端的電壓不會升高也不會降低。
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