杰力P溝道MOS管 EMB20P03V EDFN 3X3 -30V/-18A 增強(qiáng)型場效應(yīng)管

• 來源：宇芯電子 更新時(shí)間：2018-09-21 17:26:33點(diǎn)擊：6次

• 一、封裝信息：

  

  
  

  
  

  
  

  二、極限值（除非有特殊說明，TC=25℃）：

  參數(shù)	符號	數(shù)值	單位
  漏極-源極電壓	BVDSS	-30	V
  柵極-源極電壓	VGS	±25
  漏極電流-連續(xù) TC=25℃	ID	-18	A
  漏極電流-連續(xù) TC=100℃		-13
  漏極電流-脈沖	IDM	-72
  雪崩電流	IAS	-10
  雪崩能量	EAS	5	mJ
  重復(fù)雪崩能量	EAR	2.5
  功耗 TC=25℃	PD	2.5	W
  功耗 TC=100℃		1
  結(jié)溫和存儲溫度	Tj,Tstg	-55~+150	℃

  
  

  
  

  
  

  三、熱阻：

  參數(shù)	符號	數(shù)值	單位
  結(jié)到管殼的熱阻	RθJC	6	℃/W
  結(jié)到環(huán)境的熱阻	RθJA	50

  
  

  
  

  
  

  四、電特性（除非有特殊說明，TC=25℃）：
  

  參數(shù)	符號	最小值	典型值	最大值	單位
  漏極-源極擊穿電壓	V(BR)DSS	-30			V
  柵極開啟電壓	VGS(th)	-1	-1.5	-3
  柵極漏電流 VDS=0V,VGS=±20V	IGSS			±100	nA
  柵極漏電流 VDS=0V,VGS=±25V				±500
  零柵壓漏極電流 VDS=-24V,VGS=0V	IDSS			-1	μA
  零柵壓漏極電流 VDS=-20V,VGS=0V,Tj=125℃				-10
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-10A	RDS(ON)		17.5	20	mΩ
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-7A			26	35
  正向跨導(dǎo)	gfs		24		S
  輸入電容	Ciss		1407		pF
  輸出電容	Coss		208
  反向傳輸電容	Crss		164
  柵源電荷密度	Qgs		3.2		nC
  柵漏電荷密度	Qgd		4.9
  開啟延遲時(shí)間	td(on)		10		nS
  開啟上升時(shí)間	tr		8
  關(guān)斷延遲時(shí)間	td(off)		25
  開啟下降時(shí)間	tf		6

  
  

  
  

  
  

  五、封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

  
  

  六、特性圖：

  

  
  

  
  

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