ME2169恒流LED驅(qū)動應(yīng)用指導(dǎo)

• 來源：宇芯電子 更新時間：2018-08-27 14:06:10點(diǎn)擊：6次

• 一、芯片介紹

   

  1. 基本介紹：

        ME2169是一款1MHz升壓型DC-DC 恒流LED驅(qū)動控制器，可通過調(diào)節(jié)外圍電流檢測電阻（RSENSE）設(shè)定恒流輸出值，通過FB反饋電阻（RFB1、RFB2）設(shè)定輸出過壓保護(hù)值，由于使用外接低導(dǎo)通電阻的N溝道功率MOSFET開關(guān)管，因此適用于需要高效率、高驅(qū)動電流的應(yīng)用電路。另外，芯片內(nèi)置有欠壓保護(hù)、過溫保護(hù)、軟啟動等保護(hù)電路。

   

  
  

  2. 芯片主要特點(diǎn)：

  • 恒流輸出：VSENSE=10mV±10mV，單節(jié)鋰電輸入，適用于驅(qū)動2 顆1W LED串聯(lián)、2 顆3W LED串聯(lián)、3 顆1W LED串聯(lián)、3 顆3W LED串聯(lián)等情況的應(yīng)用。

  • 輸出過壓保護(hù)：可通過調(diào)節(jié)反饋電阻（RFB1、RFB2）設(shè)定輸出過壓保護(hù)的電壓值VOVP

  • 輸入電壓范圍：2.5V-5.5V

  • 低消耗電流：60uA

  • 振蕩器頻率：1MHz

  • 封裝：SOT23-6

  • 應(yīng)用范圍：移動電源、LED照明、其他便攜設(shè)備

   

   

  
  

  3.管腳定義：

  

  
  

  
  

  
  

  4. 典型應(yīng)用原理圖：

  

  
  

  
  

  
  

  
  

   二、各腳的功能以及調(diào)試中注意事項(xiàng)
  
   1. VDD端：
        電壓輸入及芯片供電電源端，輸入電壓范圍2.5V-6V。欠壓保護(hù)2.4V左右，高于2.4V芯片工作，低于2.25V芯片關(guān)閉，VDD輸入電容推薦為10uF。
  
   2. VSENSE端：
        輸出電流檢測VSENSE端電壓恒定為100mV（典型值），通過調(diào)節(jié)VSENSE 端連接的電流檢測電阻（RSENSE）設(shè)定輸出電流ILED，計算公式如下：

  

  
  

  
  

  3. FB端：
        輸出過壓保護(hù)電壓（VOVP）反饋端，為使芯片正常工作在恒流工作模式，設(shè)置的輸出過壓保護(hù)值（VOVP）應(yīng)大于LED 燈負(fù)載上的壓降  通過反饋電阻（RFB1、RFB2）設(shè)置VOVP值如下：

  

  
  

  典型驅(qū)動情況推薦如下設(shè)置：

  

  
  

  
  

   4. EN 端：芯片使能開關(guān)控制端，大于0.49V工作，低于0.14V關(guān)斷
  
   5. VSS 端：芯片地，單點(diǎn)接地
  
   6. EXT 端：芯片輸出開關(guān)控制信號，外接功率管柵極

  
  

  
  

  
  

    
  三、布板注意事項(xiàng)
  
  
  1. PCB布板，外接的電容器、電感器等請盡量安裝在IC附近，并進(jìn)行單點(diǎn)接地，NMOS功率管要注意大面積敷銅，減小熱阻，增大散
   熱。
  
   2. 電容CIN要盡量靠近芯片的VDD腳，有可能的情況下在VDD腳旁邊放置一個0.1uF 的陶瓷電容。
  
   3. FB端反饋電阻盡量在IC附近。
  
   4. 芯片VDD 和EN 腳要連接在輸入端。
  
   
   四、外圍元器件選擇

  
  

   1. 電感器：
        ME2169輸入電感推薦位2.2uH 線徑0.9毫米的工型電感，電感L對輸出電流（ILED）和效率（η）產(chǎn)生很大的影響。在選用電感器時，請注意電感器的容許電流。超過此容許值的電流流入電感器會引起電感器處于磁氣飽和狀態(tài)，明顯地降低工作效率，或因大電流而引發(fā)IC遭受破壞。因此，請選用IPK不超過容許電流的電感器。

  
  

  
  

   2. 二極管：
        請使用滿足  正向電壓低（肖特基勢壘二極管等）、切換速度快、反向耐壓在輸出過壓保護(hù)電壓（VOVP）以上、額定電流在電感器峰值電流（IPK）以上等電條件的外接二極管。
  
  

  
  

   3. 輸入電容器（CIN）、輸出電容器（CO）：

        ME2169推薦輸入電容 CIN使用的電容值為10μF~20μF。輸出電容器（CO）使用20μF~47μF的電容器，在VOUT較高或負(fù)載電流較大的情況下，則推薦使用輸出容量值更大的電容器。另外，CIN、CO 均可以使用陶瓷電容器。

  
  

  
   4. 增強(qiáng)型N溝道功率MOSFET：

        ME2169推薦功率MOSFET開關(guān)管使用MEM2310，為了獲得良好的效率，請選用低導(dǎo)通電阻（RON），較小輸入電容量（CISS）的功率MOSFET，請選用的功率MOSFET的閥值大大低于UVLO檢測電壓值的產(chǎn)品。

  
  

  
   5. 電流檢測電阻 RSENSE、過壓保護(hù)反饋電阻（RFB1、RFB2）：
         ME2169可通過VSENSE端連接RSENSE電阻，將ILED設(shè)定為任意值，請在VSENSE端與VSS端之間連接電流檢測電阻RSENSE。ME2169可通過FB端連接反饋電阻設(shè)定輸出過壓保護(hù)的VOVP值，請在FB端與VSS端之間連接RFB2，F(xiàn)B端與輸出LED燈正向端及整流二極管的負(fù)向端連接RFB1，為使過壓保護(hù)不影響正常工作，設(shè)置過壓保護(hù)電壓VOVP值一定要高于負(fù)載LED燈到地之間的壓降。推薦  選擇如下表所示：

  

  其他任意電流值可根據(jù)輸出電流ILED公式設(shè)置。
  
   
   五、關(guān)鍵電器參數(shù)：
  負(fù)載三顆燈  輸出效率與驅(qū)動電流：

  

  負(fù)載三顆燈 輸出電流與輸入電壓：

  
  

  
  

  
  

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