FIR2N65ABPG TO-251 N溝道功率MOSFET 650V/2A場效應(yīng)管
N溝道功率MOSFET FIR2N65ABPG的引腳圖:
N溝道功率MOSFET FIR2N65ABPG的極限值:
符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
VDS | 漏極-源極電壓 | 650 | V |
VGS | 柵極-源極電壓 | ±30 | |
ID | 漏極電流-連續(xù) | 2 | A |
IDM | 漏極電流-脈沖 | 8 | |
EAS | 單脈沖雪崩能量 | 84 | mJ |
IAR | 雪崩電流 | 3.6 | A |
EAR | 重復(fù)雪崩能量 | 6.4 | mJ |
PD | 總耗散功率 | 54 | W |
TSTG | 存儲溫度 | -55~+150 | ℃ |
TJ | 工作結(jié)溫 | -55~+150 |
N溝道功率MOSFET FIR2N65ABPG的電特性:
符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 650 | V | ||
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=1A | 4.2 | 5 | Ω | |
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 3 | 4 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 8.5 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 1.5 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 4 | |||
Ciss | 輸入電容 | 280 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 30 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 3.8 | |||
td(on) | 開啟延遲時間 | 7.8 | ns | ||
tr | 開啟上升時間 | 5.5 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 33 | |||
tf | 開啟下降時間 | 16 |